Transistoren sind ein wichtiges elektronisches Bauteil in der Elektrotechnik. Aufgrund ihrer Eigenschaft (Transistoren kann man sich als Gegeneinanderschaltung von Dioden vorstellen) können Transistoren als Steuerungselement von Strömen verwendet werden. Dabei wird eine Stromverstärkung von bis zu 100x erreicht. Es empfiehlt sich daher auch, dass Kapitel “Dioden als elektronische Bauteile” auf Lernort-Mint zu lesen.
Wie bereits in der Einleitung erwähnt, kann man sich einen Transistor aus zwei Dioden aufgebaut vorstellen. Daher handelt es sich bei einem Transistor um einen Halbleiterkristall, der aus drei unterschiedlich beschichteten Schichten besteht. Allgemein unterscheidet man zwischen einer n-p-n und einer p-n-p-Schichtung.
Daher hat ein Transistor auch drei Anschlüsse, diese Anschlüsse bezeichnet man als Emitter E, Kollektor C und Basis B.äuse herausführen. Die mittlere Schicht des Transistors hat die Bezeichnung Basis (B) und hat dabei die Funktion als Steuerung des Transistors. Wie bei den Dioden sind bei den Transistoren die Übergänge zwischen den unterschiedlich dotierten Schichten verantwortlich. Die für Transistoren charakteristischen Spannungen sind die Spannung (UBE) zwischen Basis und Emitter und die Spannung (UCE) zwischen Kollektor und Emitter.
Da es in n-dotierten Halbleitern wesentlich mehr bewegliche Elektronen gibt als im p-dotierten Halbleiter, diffundieren Elektronen vom N in den P Halbleiter. Durch die Diffusion von beweglichen Ladungsträgern bleiben die unkompensierten Ladungen der Donatoren bzw. Akzeptoren zurück.
Beim Anlegen einer Spannung an der Diode in Durchlassrichtung (Pluspol an die Anode) werden die positiven Ladungsträger der p-dotierten Zone vom Minuspol angezogen. Die negativen Ladungsträger aus der n-dotierten Zone werden vom Pluspol angezogen. Zwischen den beiden Zonen rekombinieren sich diese Löcher (positive Ladungsträger) mit den Elektronen. Es findet ein Ladungstransport statt. Legt man nun den Pluspol an die Kathode der Diode, so werden die Ladungsträger aus der p-dotierten Zone zum Minuspol angezogen und die Ladungsträger der n-dotierten Zone zum Pluspol. In diesem Fall bildet sich zwischen den beiden Zonen eine ladungsfreie Zone, wodurch ein Stromtransport unterbrochen ist (empfehlenswert ist sich das in einem Stromkreis hinzuzeichnen, dann ist dieser Sachverhalt schnell ersichtlich).
Wie bei allen verzweigten Stromkreisen gilt auch bei dem Transistor die sog. Knotenregel (die Summe der Ströme an einem Konten ist gleich 0). Diese besagt, dass für die Stromstärke an den einzelnen Elementen gilt: IB + IC – IE = 0 (der Emitterstrom wird negativ gezählt, da er aus dem Transiter herausfließt). Daraus folgt, dass der Emitterstrom die Summe aus Basis und Kollektorstrom ist. Das Verhältnis von Basisstrom und Kollektorstrom wird als sog. Stromverstärkung bezeichnet und kennzeichnet die Funktion eines Transitors (die Stromverstärkung kann dabei bis zu 100x betragen). Bei einem Transistor steuert ein kleiner Fluss an der Basis eine “Funktion” (ähnlich einer Klappe), die dann den Stromfluss von Kollektor zum Emitter steuert, d.h. liegt ein Stromfluss von Basis zum Emitter vor, existiert ein Stromfluss von Kollektor zu Emitter.
Man kann sich die Einheit Basis-Emitter wie eine Sperrrichtung vorstellen. Werden p-dotierte und n-dotierte Schichten zusammengeführt, diffundieren Elektronen in den p-dotierten Bereich und die (positiven) Löcher wandern in den n-dotierten Bereich. Dadurch wird der n-dotierte Bereich positiv der p-dotierte Bereich wird negativ. Durch Rekombination entstehen Orte, an denen sich keine Ladungsträger befinden und es entsteht daher eine Sperrschicht. Nun gibt es zwei Möglichkeiten, wie man eine Spannung anlegen kann. Legt man ein den Pluspol an den n-dotierten Bereich und den Minuspol an den p-dotierten Bereich erhöht dies das elektrische Feld und führt zu einer Vergrößerung der Sperrschicht.
Legt man die Spannung in anderer Richtung an (Pluspol an p-Zone und Minuspol an n-Zone), so wird das elektrische Feld zwischen den beiden Zonen verringert, was zu einer “Verkleinerung” der Sperrzone führt. Ab einer bestimmten Spannung “verschwindet” die Sperrschicht sogar gänzlich. Hebt diese Spannung die Sperrschicht zwischen Basis und Emitter auf, somit kann der sog. Basisstrom fließen. Dadurch gelangen Elektronen in die Sperrschicht zwischen Basis und Kollektor und können hier ebenfalls die Sperrschicht verkleinern bzw. aufhaben.
Ein Transistor hat die Aufgabe, elektrische Signale zu verstärken und zu schalten.
Ein Transistor besteht im Grundsatz aus drei Teilen: dem Emitter, der Base und dem Collector.
Es gibt vor allem zwei Haupttypen von Transistoren, nämlich den Bipolar-Transistor und den Feldeffekt-Transistor.
Ein Transistor ändert die Stromstärke, indem er den Strom vom Emitter zur Base variiert, was dann die Stromstärke vom Emitter zum Collector kontrolliert.
Transistoren sind besonders wichtig in Bezug auf das Verstärken von elektrischen Signalen und die Digitaltechnik.
In einem NPN-Transistor fließt der Strom vom Emitter zum Collector, während in einem PNP-Transistor der Strom in die entgegengesetzte Richtung fließt, also vom Collector zum Emitter.
Silizium und Germanium sind zwei häufig verwendete Halbleitermaterialien in der Herstellung von Transistoren.
Ein Transistor wird als Schalter verwendet, indem er den Fluss von Strom durch die Schaltung vollständig ein- oder ausschaltet, basierend auf dem Strom, der an die Base angelegt wird.
In einem Computer dienen Transistoren als die Grundbausteine der digitalen Logik-Gatter, die wiederum die Grundbausteine der Computerprozessoren sind.
Wenn ein Transistor ausfällt, kann dies dazu führen, dass die Schaltung nicht mehr das erwartete Signal liefert oder sogar dazu führen, dass die gesamte Schaltung nicht mehr funktioniert.